2017年9月1日，物理学院拟购的“高温高压物理气相输运AlN单晶生长系统”购置可行性论证会在勺园五乙305会议室召开，会议由实验室与设备管理部部长刘克新教授主持。

 “高温高压物理气相输运AlN单晶生长系统”是一套在高温高压下生长2英寸AlN单晶的设备。目前校内无同类设备。专家组根据申请人团队研究需求，认为AlN单晶是研制氮化物宽禁带半导体深紫外发光器件和高温大功率电子器件的理想衬底材料，也是当前第三代半导体的研究前沿热点。拟购的AlN单晶生长系统的工作温度可达到2500摄氏度，压力可达到2Mpa，能够满足申请人对氮化物半导体材料和器件研制的需求。设备的购置将对北京大学乃至全国深紫外光电子器件的发展起重要的推动作用。

专家组一致同意通过上述设备的可行性论证，设备的购置经费来源为“国家重点实验室设备费”，由物理学院沈波教授申请。仪器设备购置经费已落实，运行经费有保障。设备购置后将用于服务校内外科研工作，预计年开放共享机时为2000小时左右。可行性论证专家组由中国科学院半导体研究所王军喜研究员，中国科学院物理研究所郭丽伟研究员，北京工业大学电子信息与控制工程学院郭伟玲教授，北京大学物理学院杨金波教授、信息学院郝一龙教授组成。