2014年9月23日，信息学院拟购的“等离子体增强化学气相沉积系统”购置可行性论证会在实验室与设备管理部会议室召开，会议由实验室与设备管理部副部长刘克新教授主持。

         “等离子体增强化学气相沉积系统”由信息学院黎明研究员申请购置，经费来源为973项目。等离子体增强化学气相沉积是一种薄膜材料的制备方法，其原理是在化学气相沉积中，通过激发气体的方式产生低温等离子体，从而增强反应物质的化学活性，实现薄膜的沉积与外延。这种方法的主要优点是沉积温度低、对基体结构和物理性质的影响小、薄膜厚度及成分均匀性好。拟购的“等离子体增强化学气相沉积系统”使用电感耦合系统进行等离子体激发，能够在较低温度和较低电压下获得更加稳定和高密度的等离子体，并在接近室温的工艺条件下实现高致密度的薄膜淀积。设备的各项功能指标先进，满足申请人的科研需要。目前我校同类设备使用效率较高，机时饱满。专家组根据申请人课题组开展高迁移率沟道CMOS技术研究的需要，认为该设备是实现锗、III-V族化合物半导体等高迁移率沟道CMOS器件集成的必要设备之一，其购置将对北京大学在高迁移率集成电路器件领域的研究产生积极的推动作用。

         该仪器设备购置经费已落实，运行经费有保障，专家组一致同意通过“等离子体增强化学气相沉积系统”的可行性论证。设备购置后将在满足申请人课题组科研需要的基础上对校内外用户开放共享，预计年开放机时为200小时左右。可行性论证专家组由清华大学纳米中心李群庆教授，中科院微电子所殷华湘研究员，中科院半导体所王晓峰副研究员，北京大学信息学院王兆江教授级高级工程师、张志勇教授组成。