2019年4月26日，信息学院拟购的“快速退火炉”购置可行性论证会在微纳大厦306会议室举行。

　　拟购的“快速退火炉”是一种在真空状态下对衬底基片分区快速加热处理的设备，基片经过快速升温、恒温、降温过程后，可实现材料的改性优化。该设备主要用于半导体工艺制作过程中的金属合金、结晶化、热氧化、热退火等工艺。目前校内同类设备使用机时饱满，无法满足申请人需要。专家组经讨论认为申请人所在的实验室主要从事纳米尺度CMOS器件相关的研究工作，为了获得纳米尺度的新型三维器件，获得超浅结、纳欧级别的接触电阻，进行合金化、热氧化、结晶化等实验研究，需要对样品实现快速热退火。拟购设备能够实现纳米级别器件的退火要求，重复性和均匀性好，性能可靠，满足申请人搭建先进的纳米尺度CMOS器件工艺平台的需求，设备的购置将对北京大学半导体新器件研究具有推动作用。

　　专家组一致同意通过上述设备的可行性论证，设备购置经费已落实，经费来源均为“科技部重点研发项目经费”，由信息学院黎明研究员申请购置。仪器设备运行经费有保障。仪器购置后将用于新工艺、新材料新结构器件研究工作，预计年使用机时为1250小时左右。可行性论证专家组由中科院半导体所王晓峰研究员，中科院微电子所殷华湘研究员，中科院物理所张建军研究员，北京大学信学院王兆江高级工程师、贺明研究员组成。