2012年3月22日，物理学院拟购的“高温金属有机物化学气相沉积系统”和信息学院拟购的“低压化学气相沉积系统”购置论证会在实验室与设备管理部会议室召开，会议由实验室与设备管理部部长张新祥教授主持。

 “高温金属有机物化学气相沉积系统”是制备高质量高Al组分AlGaN外延材料的必不可少的设备。北京大学宽禁带半导体研究中心正在开展的高Al组分AlGaN材料及其紫外探测和发光器件的研制是当前国际上宽禁带半导体的发展方向，可广泛用于医疗卫生、环境保护、工业自动化、信息传输和存储等民用领域，以及太空探测等国家安全领域，是国家的战略需求。目前校内物理学院有一台同类设备，但很多参数无法满足申请人的研究需求。“高温金属有机物化学气相沉积系统”由物理学院沈波教授申请，经费来源为人工微结构和介观物理国家重点实验室仪器设备专项经费。专家组根据申请人在开展宽禁带半导体研究方面的需要，认为该设备是高Al组分AlGaN材料研究的关键设备之一。

“低压化学气相沉积系统”是光电子器件常用的工艺设备，它可以沉积多晶硅、氮化硅及其掺杂如硅酸盐或不掺杂硅酸盐等。拟购置的3套独立的工艺炉管，可分别进行多晶硅，氮化硅，硼、磷扩散工艺。目前校内物理学院、信息学院等有多台同类设备，但机时饱满。“低压化学气相沉积系统”由信息学院王兴军副教授申请，经费来源为863项目经费。专家组根据申请人在开展光电子器件研究方面的需要，认为该设备是搭建硅光电子工艺平台的关键设备之一。

上述两套设备购置经费已落实，运行经费有保障，专家组一致同意通过可行性论证。设备购置后将在满足申请人课题组科研需要的同时对校内外开放使用。可行性论证专家组由中科院物理研究所杜小龙研究员，中科院半导体研究所陈涌海研究员，中科院微电子研究所景玉鹏研究员，北京大学信息学院郝一龙教授，物理学院冉广照教授组成。