2012年4月13日，物理学院拟购的“原子层沉积仪”购置论证会在在实验室与设备管理部会议室召开，会议由实验室与设备管理部副部长刘克新教授主持。

“原子层沉积仪”由物理学院吴孝松研究员申请，经费来源为国家重点实验室设备更新费。原子层沉积（ALD）是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层镀在基底表面的方法。原子层沉积与普通的化学沉积有相似之处，但在原子层沉积过程中，新一层原子膜的化学反应直接与之前一层相关联，这种方式使每次反应只沉积一层原子。原子层沉积仪制备出的薄膜不但面积均匀、致密、缺陷少、原子级平整，而且膜厚度可以精确控制到一个原子层，同时膜的生长过程重复性极好，单晶、非晶都可以生长，还可以控制生长多种异质结构。由于这些特点以及微电子技术发展的需要，原子层沉积技术近年来飞速发展，无论在科研领域还是半导体工业上都得到迅速地应用。目前校内同类设备使用效率很高，机时较满。专家组根据申请人开展石墨烯、半导体纳米线等低维材料的物性和器件研究的需要，认为该仪器是制备超薄的高质量高介电常数介质层的关键设备之一。设备购置后将在满足申请人课题组科研需要的同时对校内外开放使用。

该仪器设备购置经费已落实，运行经费有保障，专家组一致同意通过“原子层沉积仪”的可行性论证。可行性论证专家组由中科院半导体所谢亮研究员、微电子所陈宝钦研究员、北京大学物理学院胡晓东教授、信息学院康晋锋教授、化学学院邹德春教授组成。