2012年5月16日，物理学院拟购的“深能级瞬态谱仪”购置论证会在物理学院中412会议室召开，实验室与设备管理部设备管理办公室相关工作人员参加了会议。

深能级瞬态谱的表征是研究半导体材料和器件中杂质（金属和非金属元素等）和缺陷（点缺陷和扩展缺陷等）导致的禁带能级最有效的方法之一，它具有高的灵敏度和好的空间分辨率，是半导体材料和器件物理研究领域中不可或缺的重要技术。III族氮化物半导体，特别是AlGaN拥有很大的禁带宽度，用深能级瞬态谱仪研究其杂质和缺陷能级时需要有很宽的温度扫描范围，特别是高温段的温度扫描至关重要。目前校内物理学院有三台同类设备，但某些功能无法满足申请人的研究需求。专家组根据申请人在开展III族氮化物半导体材料和器件缺陷物理等研究方面的需要，认为该设备是检测和分析半导体材料杂质和缺陷的关键设备之一，一致同意通过“深能级瞬态谱仪”的可行性论证。设备购置后将在满足申请人课题组科研需要的同时对校内外开放使用。

“深能级瞬态谱仪”由物理学院沈波教授申请，经费来源为973和863经费。可行性论证专家组由中科院半导体研究所卢励吾研究员，北京大学物理学院胡晓东教授、王新强教授、于彤军副教授、许福军博士组成。