2012年11月16日，量子材料科学中心拟购的“脉冲激光沉积-分子束外延生长仪”购置论证会在在实验室与设备管理部会议室召开，会议由实验室与设备管理部副部长刘克新教授主持。

“脉冲激光沉积-分子束外延生长仪”由量子材料科学中心施靖教授申请购置，经费来源为985经费。高质量薄膜样品的制备是凝聚态物理研究的一个必不可少的环节，在过去30年中，高质量的磁性薄膜的制备为磁学和自旋电子学的飞速发展提供了必要的条件。脉冲激光沉积-分子束外延方法是生长高质量氧化物薄膜的一种灵活、简单、有效的生长方法，目前在国际国内被应用于制备氧化物磁性薄膜和异质结、氧化物高温超导薄膜、氧化物界面二维电子气等薄膜材料。目前校内同类设备无法满足申请人的科研需求。专家组根据申请人开展磁性氧化物制备及其电子性质研究的需要，认为该仪器是高质量磁性氧化物薄膜生长的关键设备之一，对北京大学在氧化物磁性材料相关的自旋电子学等领域的研究将发挥重要作用。

该仪器设备购置经费已落实，运行经费有保障，专家组一致同意通过“脉冲激光沉积-分子束外延生长仪”的可行性论证。设备购置后将在满足申请人课题组科研需要的同时对校内外开放使用。可行性论证专家组由中科院半导体所韩伟华研究员、物理所王楠林研究员，北京大学工学院侯仰龙研究员、物理学院连贵君教授级高工、化学学院施祖进教授组成。