申请人所在实验室主要从事硅基光电子器件及片上系统集成方面的研究，目前承担了KJW重点项目的研究任务。项目研究需要实现高速硅基光电子器件的片上集成，主要包括片上高速电光调制器、高速光电探测器、低损耗片上波导及耦合器等。在研究的过程中，需要利用国外硅基光电子芯片的流片工艺平台来实现项目的指标要求，其中调制器/探测器要求30GHz带宽，调制器驱动电压小于5V，探测器响应度大于0.7A/W，而要实现这些高性能的指标要求，就需要至少90nm线宽的硅光工艺平台。经过调研，目前只有新加坡CompoundTek公司具有90nm线宽的能力，且开放PDK二次加工编辑，能够满足项目研究所需的所有芯片加工要求。综上所述，故拟申请采购图形化SOI衬底片(型号Active block)，申请以单一来源的方式进行采购。

单一来源公示2024年4月9日到2024年4月16日。