申请人所在院系主要从事先进节点器件和工艺研发方面的研究，目前承担了纳米尺度MOS器件涨落可靠性分析的研究任务；研究需要实现多种涨落源的提取及分析，在研究的过程中，需要利用“TCAD 涨落模拟软件”来实现原子级器件涨落特性模拟，而要实现这些目的，就需要TCAD 涨落模拟软件具备添加多种随机涨落源模拟器件电学特性功能，这是因为无法通过物理表征的手段获取器件的单一的、真实的微观涨落参数，需要通过TCAD进行模拟验证；经过调研，目前只有全芯智造技术有限公司的“Garand VE系统”能够满足研究的需要；因此，特申请以单一来源的方式进行采购。

单一来源公示2024年4月12日到2024年4月19日。