申请人所在实验室主要从事硅基光电子器件及片上系统集成方面的研究，目前承担了KJW重点项目的研究任务，根据研究进度需求，需定制一批图形化SOI衬底片。项目研究需要实现高速硅基光电子器件的片上集成，主要包括片上高速电光调制器、高速光电探测器、低损耗片上波导及耦合器等。在研究的过程中，需要利用国外硅基光电子芯片的流片工艺平台来实现项目的指标要求，其中调制器/探测器要求30GHz带宽，调制器驱动电压小于5V，探测器响应度大于0.7A/W，而要实现这些高性能的指标要求，就需要至少90nm线宽的硅光工艺平台。

经过调研，目前国外硅光代工厂有新加坡AMF、新加坡CompoundTek公司，国内有重庆CUMEC、上海微技术工业研究院。

新加坡AMF、重庆CUMEC、上海微技术工业研究院均不能满足项目的指标要求，具体理由如下：

1. 重庆CUMEC、上海微技术工业研究院用的是180nm工艺，最小线宽是180nm，无法加工出满足精度要求的器件，大线宽导致的大工艺误差会极大的影响器件性能的均一性、波导及耦合器损耗等性能指标，导致无法满足项目要求。

2. 新加坡AMF公司虽然加工线宽具有90nm能力，但是其不开放PDK二次加工编辑，无法修改其PDK文件。此外，AMF公司不提供工艺定制服务，例如其固定离子注入浓度参数，无法根据我们设计的器件性能要求进行定制化工艺加工，因此生产出的器件也无法达到项目所需的性能要求。

3. 新加坡CompoundTek公司具有90nm线宽的能力，且开放PDK二次加工编辑，能够满足项目研究所需的所有芯片加工要求。

综上所述，故拟申请采购图形化SOI衬底片(型号Active block)，申请以单一来源的方式进行采购。

单一来源公示2024年8月30日到2024年9月6日。