申请人所在的实验室一直从事氮化物半导体材料及器件方面的研究。目前承担了国家重点研发计划《Micro-LED用新型MOCVD技术》、《氮化物半导体的范德华外延生长及其光电器件研究》和国家自然科学基金国家重大科研仪器研制项目《大尺寸激光辅助金属有机物化学气相沉积系统》等研究任务。研究需要实现高效率、高质量的氮化物半导体材料的MOCVD外延生长，在研究的过程中，需要利用高温真空烤盘炉烘烤MOCVD设备使用的石墨盘载具，实现最佳的石墨盘清洁度和表面状态。而要实现这些目的，就需要高温真空烤盘炉的最高工作温度≥1400℃，工作区域直径＞300 mm，而由于实验室场地的进场通道宽度为1.6m，所以要求烤盘炉的最大模块尺寸＜1.6 m。经过调研，目前只有中国台湾文生真空科技股份有限公司的HBM-465G型高温真空烤盘炉设备能够满足需要。因此，特申请以单一来源的方式进行采购。

单一来源公示2024年9月9日到2024年9月16日。