申请人所在实验室主要从事钙钛矿光电材料与器件方面的研究，目前承担了国家自然科学基金委杰出青年项目《新型光电转换材料及器件》、北京市自然科学基金重点研究专题项目《稳定高效钙钛矿光伏关键材料与技术》等钙钛矿光电材料与器件领域的研究任务；研究需要实现大面积纳米级高质量薄膜的低温快速沉积，在研究的过程中，需要利用“原子层沉积系统”来实现在8英寸衬底上，低温快速沉积非均匀性小于1%的纳米级别高质量薄膜材料，而要实现这些目的，就需要“原子层沉积系统”具备可沉积薄膜种类多、低温快速工艺包、沉积非均匀性等方面的技术参数，主要包括：

1）独有的成熟的70℃低温生长SnO₂薄膜，8英寸衬底沉积非均匀性小于1%且周期时间小于2s的纳米薄膜沉积能力，用于光电器件；

2）独有的SAMs自组装单分子层的薄膜沉积生长工艺，用于薄膜封装。

   经过调研，目前只有Veeco公司的Savannah S200型“原子层沉积系统”能够满足研究的需要；因此，特申请以单一来源的方式进行采购。

  单一来源公示2024年12月4日到2024年12月11日。