北京大学化学与分子工程学院喷淋式进样热壁化学气相沉积生长系统免招标采购征求意见公示

申请人所在实验室主要从事单壁碳纳米管水平阵列的控制制备方面的研究，目前承担了如何制备高密度半导体性碳纳米管水平阵列的研究任务。

此研究需要实现高密度的半导体性的碳纳米管水平阵列的生长，在前期的研究工作中，发现特定的催化剂生长的碳纳米管具有选择性，但是无法获得高密度的碳管阵列，在研究的过程中，我们认为需要利用“喷淋式进样热壁化学气相沉积生长系统”来实现基底附近碳源浓度的提高以及体系内气体分布均匀性，而要实现这些目的，就需要改变传统CVD设备的进气方式以及体系内的气体均匀程度，因此我们认为需要一种“喷淋式进样热壁化学气相沉积生长系统”。此设备相比于传统CVD，需要使用喷淋装置往CVD系统内引入气体，一方面可以保证碳源浓度在CVD炉内均匀分布，以此提高CVD生长碳纳米管水平阵列的重复性与单片基底生长的均匀性；另一方面喷淋出的高速气流直接喷射到目标基底上，相比于传统的粘滞层扩散，基底附近的碳源浓度可以大大提高，更加利于碳纳米管的成核与生长；此外，此设备应该可以对喷淋装置到目标生长基底的距离进行调节，这样可以根据实际气流大小来进行调整基底附近的反混气流大小；最后，此设备应为热壁CVD系统，如果气相碳源没有经过预热直接喷射到目标基底上，结合我们前期的结果，可能对碳纳米管的成核生长有一定的影响。结合前期的催化剂选择性制备碳纳米管的工作，使用这样的装置我们认为可以进一步提高半导体性碳纳米管水平阵列的密度。

经过调研，目前只有无锡盈芯半导体科技有限公司在与我们讨论后，该公司的型号为YXCVD-PLhh01的喷淋式进样热壁化学气相沉积生长系统可以满足我们的需求，故该设备拟采用单一来源方式采购，现将有关情况向潜在供应商征求意见，征求意见期限2018年12月14日至2018年12月21日止。

   潜在采购供应商对公示内容有异议的，请于公示期满前两个工作日内以实名书面（包括联系人、地址、联系电话）形式将意见反馈至北京大学实验室与设备管理部。

地址：北京大学勺园5甲四楼409房间

联系人：荆明伟

联系电话：010-62751411，010-62758587