北京大学化学与分子工程学院亚微米紫外图形制备系统免招标采购征求意见公示
申请人所在微纳与柔性器件加工测试平台,主要是面向校内外进行新型分子功能材料和微纳器件测试加工。目前,实验室承担了研发光电半导体材料的核心任务:用曝光和光刻技术制备亚微米、高精度的精确电路图。需要消除紫外光在投射到亚微米线条时的次级衍射峰,从而提高1μm及以下线宽图形时的极限分辨率和工艺成品率。曝光光强需≥40mw/cm@365nm,≥100mw/cm@Broad,曝光分辨率不高于0.7μm,需要实现在6英寸、200mm和150mm的方形区域内,光强均匀性均能达到2.5%。需要有杜绝漂移现象的技术,以便有效补偿芯片厚度的不同,对准套刻精度需达到0.25μm。
经过调研,目前只有德国SUSS公司的MA6 Gen4系统能够满足这些在曝光系统、对准系统、控制系统和芯片找平系统方面的测试需求,所以特申请以单一来源的方式进行采购,征求意见期限2019年10月12日至2019年10月19日止。
潜在采购供应商对公示内容有异议的,请于公示期满前两个工作日内以实名书面(包括联系人、地址、联系电话)形式将意见反馈至北京大学实验室与设备管理部。
地址:北京大学勺园5甲四楼409房间
联系人:荆明伟
邮箱:mwjing@pku.edu.cn wuxuxu@pku.edu.cn
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