北京大学物理学院氮化镓衬底免招标采购征求意见公示

申请人所在的实验室一直从事GaN基宽禁带半导体材料及先进光电器件方面的研究。目前承担了国家重点研发计划《基于极低维AlGaInN纳米异质结构的新型高效紫外光源和激光器件研究》、《氮化物半导体新结构材料和新功能器件研究》等研究任务。研究需要实现大功率密度、高发光强度、高使用寿命的蓝光光源及紫外光源，需要利用超高晶体质量、位错密度在104 cm-2量级的定制GaN衬底，来提高制备的GaN基光电器件的功率密度和使用寿命两个量级以上。

经过调研，目前只有波兰GaNLab sp. Z O.O.公司可以提供该种高质量GaN衬底，满足项目研究需需要，征求意见期限2019年10月24日至2019年10月31日止。

   潜在采购供应商对公示内容有异议的，请于公示期满前两个工作日内以实名书面（包括联系人、地址、联系电话）形式将意见反馈至北京大学实验室与设备管理部。

地址：北京大学勺园5甲四楼409房间

联系人：荆明伟 

邮箱：mwjing@pku.edu.cn wuxuxu@pku.edu.cn

联系电话：010-62751411，010-62758587