北京大学物理学院（二手）等离子体外延反应器免招标采购征求意见公示

二手等离子体外延反应器是一台适合生长高质量III-V族半导体薄膜的设备。该系统包括三个腔体，十个源炉的安装法兰口，以及配套的超高真空泵和等离子体源以及相应的RF射频源，可用于实现一些半导体薄膜的外延生长。

在实验室开展的新型拓扑半导体材料物性研究的工作中，一台可制备高质量半导体材料的设备是该课题的基础。该等离子体外延系统可以满足生长具有较高物理特性的薄膜材料的要求，可以用于探索新型的具有新奇量子物理性质的低维材料, 尤其在 overgrowth 技术上提供了全链条的工艺 设备, 为新型低维拓扑材料以及拓扑量子计算(由CAS 先导专项支持) 的研究提供有力的支持。目前校内还没有可取代的设备。

具体而言，目前实验室承担的新型低维拓扑材料以及拓扑量子计算(由CAS 先导专项支持) 的课题对于高质量的样品有着亟需的要求，需要生长高质量的氮化物、氧化物（例如NbN薄膜）以及完整的overgrowth工艺链条（用于器件的passivation，是最终实现拓扑量子计算器件不可缺少的一个步骤）。而这些特殊的工艺必须借助等离子体辅助的外延反应器可以完成，它需要RF射频源清洁样品表面以进行二次生长工艺以及等离子体源产生相应的等离子体辅助外延生长。目前世界上能生长满足我们科研需求的等离子体辅助外延设备只有美国的VECCO公司和法国的RIBER公司。但由于美国VECCO公司目前对中国禁运，所以RIBER公司这家的COMPACT 21 T等离子外延反应器是目前能满足我们需求的唯一选择。

经过调研，只有来自CAE厂家的二手RIBER COMPACT 21 T等离子外延反应器能够满足的我们的研究需求，特申请以单一来源的方式进行采购。征求意见期限2019年11月22日至2019年11月27日止。

     潜在采购供应商对公示内容有异议的，请于公示期满前两个工作日内以实名书面（包括联系人、地址、联系电话）形式将意见反馈至北京大学实验室与设备管理部。

地址：北京大学勺园5甲四楼409房间

联系人：荆明伟 

邮箱：mwjing@pku.edu.cn wuxuxu@pku.edu.cn

联系电话：010-62751411，010-62758587